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VT935G
VT935G - LDR, 1 Mohm, 80 mW, 100 V

95F9039

LDR, 1 Mohm, 80 mW, 100 V

EXCELITAS TECH

LDR, 1MOHM, 80mW, VT900 SERIES; Potencia Nominal:80mW; Resistencia Oscura:1Mohm; Temperatura de Trabajo Mín.:-40°C; Temperatura de Trabajo Máx.:75°C; Tensión Nominal:100V; Tipo de Resistencia:-; Tipo de Empaquetado:Individual

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VTP3310LAH
VTP3310LAH - Fotodiodo, 20 °, 35 nA, 925 nm, T-1 (3mm)

74K2313

Fotodiodo, 20 °, 35 nA, 925 nm, T-1 (3mm)

EXCELITAS TECH

DIODE, PHOTO, 925NM, 20°, T-1; Longitud de Onda de Sensibilidad Pico:925nm; Ángulo de Sensibilidad Media ±:20°; Corriente Oscura:35nA; Estilo de la Carcasa del Diodo:T-1 (3mm); Núm. de Contactos:2; Temperatura de Trabajo Mín.:-40°C

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N5AC501085
N5AC501085 - LDR, CdS, 5 Mohms, 50 mW, 100 V

14J5050

LDR, CdS, 5 Mohms, 50 mW, 100 V

LPRS

LDR, 5MOHM, 50mW, NG SERIES; Potencia Nominal:50mW; Resistencia Oscura:5Mohm; Temperatura de Trabajo Mín.:-30°C; Temperatura de Trabajo Máx.:60°C; Tensión Nominal:100V; Tipo de Resistencia:-; Tipo de Empaquetado:Individual

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VT23N1
VT23N1 - LDR, 500KOHM, 50mW, VT200 SERIES

05C4320

LDR, 500KOHM, 50mW, VT200 SERIES

EXCELITAS TECH

LDR, 500KOHM, 50mW, VT200 SERIES; Potencia Nominal:50mW; Resistencia Oscura:500kohm; Temperatura de Trabajo Mín.:-40°C; Temperatura de Trabajo Máx.:75°C; Tensión Nominal:100V; Tipo de Resistencia:TO-46; Tipo de Empaquetado:Individual

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NSL 4960.
NSL 4960. - LDR, 1 Mohm, 500 mW, 320 V

67C8928

LDR, 1 Mohm, 500 mW, 320 V

ADVANCED PHOTONIX

LDR, 1MOHM, 500MW, NSL SERIES; Potencia Nominal:500mW; Resistencia Oscura:1Mohm; Temperatura de Trabajo Mín.:-60°C; Temperatura de Trabajo Máx.:75°C; Tensión Nominal:320V; Tipo de Resistencia:TO-8; Tipo de Empaquetado:Individual

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NORPS-12
NORPS-12 - LDR, 1 Mohm, 250 mW, 320 V

07WX4951

LDR, 1 Mohm, 250 mW, 320 V

ADVANCED PHOTONIX

LDR, 1MOHM, 250mW, NORPS SERIES; Potencia Nominal:250mW; Resistencia Oscura:1Mohm; Temperatura de Trabajo Mín.:-60°C; Temperatura de Trabajo Máx.:75°C; Tensión Nominal:320V; Tipo de Resistencia:-; Tipo de Empaquetado:Individual

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