CoolSiC™ para una eficiencia energética de nivel superior
El componente ideal para una amplia gama de aplicaciones
Productos CoolSiC™ de Infineon Technologies: confiabilidad, variedad y beneficios para el sistema inigualables. ¡Tecnología con SiC de Infineon!
Como proveedor de energía líder con más de 20 años de experiencia en el desarrollo de tecnologías de carburo de silicio (SiC), Infineon está preparada para cumplir con las demandas de consumo, generación, y transmisión más eficientes de energía. Sus especialistas entienden lo que se necesita para reducir la complejidad del sistema, alcanzar costos más bajos de sistema y reducir el tamaño en sistemas de energía media a alta.
Con la amplia cartera de productos de Infineon, que cumple con los más altos estándares de calidad, se garantiza un sistema de larga vida útil y extensa confiabilidad. Infineon es propietaria de toda la cadena de suministro y ofrece compatibilidad de diseño imparcial para aplicaciones de Si, GaN y SiC. Recurra a Infineon, el proveedor de SiC de confianza, y forme parte de una revolución en la que se puede confiar, sin importar cuál sea su diseño individual ni los requisitos del sistema.
Nuestros más de 20 años de experiencia en el campo nos convierten en un socio confiable
Haga clic aquí para agrandar la imagenMás información sobre nuestra cartera de productos de carburo de silicio
Agregamos continuamente productos basados en SiC, incluidos los revolucionarios MOSFET CoolSiC™ con tecnología Trench, a la gama de productos de silicio ya existentes. En la actualidad, la empresa ofrece una de las carteras de energía más completas de la industria, que abarca desde dispositivos de potencia de ultrabajo a alto voltaje. De hecho, nos esforzamos un poco más no solo para garantizar la disponibilidad de las soluciones más adecuadas, sino para optimizar la oferta de productos basados en SiC a fin de cumplir con los requisitos específicos de las aplicaciones. En respuesta al hecho de que los transistores de conmutación ultrarrápida, como los MOSFET CoolSiC™, pueden manejarse con mayor facilidad mediante controladores de salida de compuertas aisladas, nuestros clientes reciben los circuitos integrados de controladores de compuerta EiceDRIVER™ con aislamiento galvánico perfectamente adaptados basados en nuestra tecnología de transformadores sin núcleo. Haber producido varios millones de módulos híbridos (combinación de un interruptor rápido basado en silicio con un diodo Schottky CoolSiC™) en los últimos años, nos brindó un enorme conocimiento práctico y capacidades, y contribuyó aún más a nuestro liderazgo tecnológico.
Impulsamos la nueva generación de sistemas de alto rendimiento
Descubra cómo el nuevo MOSFET con tecnología Trench CoolSiC™ G2 permite alcanzar un nuevo nivel de rendimiento del carburo de silicio (SiC), mientras cumple con los más altos estándares de calidad en todas las combinaciones comunes de planes de energía: CA-CC, CC-CC y CC-CA. Los inversores fotovoltaicos, los sistemas de almacenamiento de energía, la carga de VE, las fuentes de alimentación, los controles de motores y muchas otras aplicaciones son algunos de los cientos de casos donde los MOSFET de SiC brindan un rendimiento adicional, en comparación con las alternativas de silicio (Si).
Características:
- MOSFET CoolSiC™ G2 de 400 V/650 V/1200 V
- RDS(on) más baja disponible
- La mayor cartera de productos
- Características únicas de solidez
Incorpore CoolSiC™ en sus aplicaciones
Historias de éxito de clientes con CoolSiC™
Tecnología Cold Split
CoolSiC™ y tecnología Trench: una revolución en la que puede confiar
CoolSiC™: la solución ideal para servoaccionamientos
MOSFET CoolSiC™ en aplicaciones de servoaccionamiento
Microaprendizaje: MOSFET CoolSiC™ en una aplicación de carga de VE
Categorías de productos CoolSiC™ de Infineon: descubra los productos que mejor se adapten a sus necesidades
Infineon agrega continuamente productos basados en SiC, incluidos los revolucionarios MOSFET CoolSiC™ con tecnología Trench, a la gama de productos de silicio ya existentes. En la actualidad, la empresa ofrece una de las carteras de energía más completas de la industria, que abarca desde dispositivos de potencia de ultrabajo a alto voltaje. De hecho, nos esforzamos un poco más no solo para garantizar la disponibilidad de las soluciones más adecuadas, sino para optimizar la oferta de productos basados en SiC a fin de cumplir con los requisitos específicos de las aplicaciones.
CoolSiC™ MOSFETs – DISCRETES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMT65R022M1H | CoolSiC™ 650 V, 27 mΩ SiC-based trench MOSFET | PG-HSOF-8 |
|
 IMT65R030M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 IMT65R057M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 AIMBG75R016M1HXTMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-TO263-7 |
|
 AIMDQ75R016M1HXUMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-HDSOP-22 | |
 IMZ120R060M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | PG-TO247-4 |
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 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | PG-TO-263-7 |
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 IMYH200R024M1H | CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-247PLUS-4-HCC |
|
 IMW120R030M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET | PG-TO247-3 |
|
 IMBF170R1K0M1 | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-263-7 |
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CoolSiC™ MOSFETs - MODULES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 FS55MR12W1M1H_B11 | Sixpack 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY1B |
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 FS33MR12W1M1H_B11 | CoolSiC™ MOSFET sixpack module 1200 V | AG-EASY1B |
|
 F3L11MR12W2M1HP_B19 | CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF2MR12W3M1H_B11 | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY3B |
|
 F4-11MR12W2M1HP_B76 | CoolSiC™ MOSFET fourpack module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF1MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB |
|
 FF2MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB | |
 FF6MR12KM1H | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module | AG-62MMHB | |
 FF3MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
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 FF4MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
EiceDRIVER™ SiC MOSFET Gate Driver ICs
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 1ED3321MC12N | 2300 V single-channel isolated gate driver with short-circuit protection, active Miller clamp and soft-off, UL 1577 & VDE 0884-11 certified | PG-DSO-16 |
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 1ED3142MU12F | 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 13.6 V UVLO | PG-DSO-8 |
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 1ED3125MU12F | 10 A, 3.0 kV (rms) single-channel isolated gate driver with active Miller clamp, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO | PG-DSO-8 | |
 2EDS9265H | Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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 2EDF9275F | Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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CoolSiC™ MOSFET – DISCRETE
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 AIKBE50N65RF5ATMA1 | Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L | PG-TO263-7 |
|
 AIMBG120R040M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 40mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMBG120R080M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 80mΩ | PG-TO263-7 |
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 AIMZH120R010M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R020M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 20mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R030M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R040M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 40mΩ | PG-TO247-4 |
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 AIMZH120R060M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 60mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R080M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 80mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R120M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 120mΩ | PG-TO247-4 |
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 AIMZH120R160M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 160mΩ | PG-TO247-4 |
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 FS05MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/200A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FS03MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/400A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EasyPACK™ CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V Half Bridge Module | AG-EASY1BA-3211 |
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| Part number | Description | Target applications | Key features and benefits |
|---|---|---|---|
 Mother board: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN | EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V in TO-247 3-/4-pin evaluation platform (mother board) User Guide | Solutions for solar energy systems, EV charging, UPS, power supplies, motor control and drives | Features:
Benefits:
|
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP1 | REF_PS_SIC_DP1 Miller clamp function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP2 | REF_PS_SIC_DP2 Bipolar supply function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 EVAL-COOLSIC-2KVHCC | Evaluation Board as adaptable double pulse tester for 2000 V discrete CoolSiC™ MOSFETs in TO-247-4-PLUS-HCC package with compact single channel isolated gate driver EiceDRIVER™ 1ED3124MU12H1200 | Industrial | Features:
Benefits:
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 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | 3300 W CCM bidirectional totem-pole PFC unit using CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7, and digital control via XMC™ microcontroller | High-end server, datacenter, telecom | Features:
Benefits:
|
Podcast4Engineers de Infineon
SiC: presentación del carburo de silicio con Eva
El carburo de silicio (SiC) ya no solo es una innovación para la nueva generación de semiconductores de potencia, está entre nosotros. Escuche la explicación de Eva sobre cómo el SiC ya transformó muchas aplicaciones, como la carga de VE y la energía fotovoltaica, y qué deben tener en cuenta los ingenieros de diseño al optar por el SiC.
SiC: tecnologías para dispositivos de carburo de silicio con Christian
¿Quién necesita diamantes cuando tiene carburo de silicio? En nuestro último episodio, Christian explica qué tienen en común el SiC y los diamantes, y cómo las nuevas tecnologías para dispositivos impulsan aún más los diseños de SiC
SiC: encapsulados discretos de carburo de silicio con Edward y Giuseppe
La grandeza viene en encapsulados pequeños… en especial, cuando se trata de carburo de silicio. En este episodio, nuestros especialistas Edward y Giuseppe hablan sobre las diferentes opciones de encapsulados discretos para SiC y lo que podemos esperar en el futuro.
SiC: encapsulados de módulos de carburo de silicio con Ainhoa
Un gran poder conlleva una gran responsabilidad… o tal vez solo excelentes diseños. Escuche a nuestra especialista Ainhoa hablar sobre cómo evolucionó el SiC en los módulos de potencia a lo largo de los años y qué consideraciones son importantes a la hora de elegir un módulo para el diseño de electrónica de potencia.
