Nexperia GaN campaign Global

Descripción

Newark junto con Nexperia, el experto en componentes discretos y MOSFET, y CI análogos y lógicos, presenta GaN FET de alta eficiencia con desempeño líder en la industria.

El uso eficiente de la energía es un desafío industrial clave y un impulso para la innovación. La presión social y las leyes demandan una mayor eficiencia en materia de conversión y control de potencia. En ciertas aplicaciones, la eficiencia de la conversión de potencia y la densidad son factores críticos para la adopción del mercado. Ejemplos principales incluyen la tendencia hacia la electrificación de los automóviles y de los sectores de infraestructura industrial y de comunicaciones de alto voltaje. Los GaN FET habilitan sistemas más livianos, fríos, rápidos y pequeños, con un costo general de sistema menor.

Impulsar la infraestructura de IoT

Brindarnos la constante conectividad en la nube, la potencia de procesamiento y el almacenamiento que necesitamos requiere mucha energía. Se necesitan fuentes de alimentación de alta gama y muy eficientes para proporcionar pérdidas reducidas de potencia en las infraestructuras de telecomunicaciones, centros de datos y automatización industrial. Es por este motivo que la conversión de potencia eficiente y la densidad mejoradas que ofrece GaN-on-Si son clave.

Electrificación del mecanismo de transmisión

Cada gramo de emisión de CO₂ es de vital importancia en los automóviles de hoy en día, y es por este motivo que se está realizando un traspaso hacia la electrificación de los vehículos. Desde los híbridos hasta los vehículos completamente eléctricos, se espera que la electrificación del mecanismo de transmisión domine el crecimiento del mercado de los semiconductores de potencia dentro de las próximas dos décadas. La eficiencia y densidad de potencia de GaN-on-Si desempeñarán un papel principal en este espacio, específicamente para los cargadores incorporados (carga EV), convertidores CD/CD e inversores de tracción de motores (inversores de tracción xEV).

Productos

Los productos GAN FET y guías de desarrollo actuales de Nexperia se enfocan en proporcionar productos confiables para respaldar aplicaciones en infraestructuras automotrices y de IoT. La tecnología de proceso GAN está basada en nuestros procesos de producción comprobados y robustos, lo que ahora genera GaN FET de potencia líderes en la industria.