Banda prohibida ancha OnSemi™
Tecnología de banda prohibida ancha: habilitación de aplicaciones de megatendencia
Los controladores de puerta de carburo de Silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN) son materiales de próxima generación para la conversión de energía y los vehículos eléctricos de alto rendimiento.
Cartera de banda prohibida ancha de próxima generación de OnSemi
Los materiales de banda prohibida ancha (WBG, por sus siglas en inglés) alimentarán las aplicaciones futuras de alto rendimiento en áreas como electrificación de los vehículos, energía eólica y solar, informática en la nube, carga de vehículos eléctricos (EV, por sus siglas en inglés), comunicación 5G y muchas más. OnSemi contribuye con el desarrollo de estándares universales para colaborar con el avance de la adopción de tecnologías de energía de banda prohibida ancha (WBG).
Las tecnologías de banda prohibida ancha ofrecen un rendimiento avanzado
- Conmutación más rápida
- Menos pérdidas de energía
- Aumento de la densidad de potencia
- Temperaturas de operación más altas
En sincronía con las necesidades de diseño
- La más alta eficiencia
- Soluciones compactas
- Menor peso
- Menor costo del sistema
- Mayor fiabilidad
Aplicaciones
- Energía eólica y solar
- Electrificación de los vehículos
- Control de motores
- Informática en la nube
- Carga de EV
- Comunicación 5G
Una cartera completa
- Transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V, 900 V y 1200 V
- Diodos de carburo de silicio (SiC) de 650 V, 1200 V y 1700 V
- Controladores de compuerta de alta corriente de SiC, GaN y aislados galvánicamente
- Módulos de potencia de SiC
- IGBT automotrices con diodo de paquete combinado de SiC
Familia de productos de diodos
La cartera de diodos de carburo de silicio (SiC) de OnSemi incluyen opciones calificadas AEC-Q101 y capaces de PPAP diseñadas y calificadas específicamente para aplicaciones automotrices e industriales. Los diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) utilizan una tecnología completamente nueva que brinda rendimiento de conmutación superior y mayor confiabilidad con los dispositivos de silicio.
Diodos de SiC de 650 V
Cartera de OnSemi de diodos de carburo de silicio (SiC) de 650 V.
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Diodos de SiC de 1200 V
Cartera de OnSemi de diodos de carburo de silicio (SiC) de 1200 V.
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Diodos de SiC de 1700 V
Cartera de OnSemi de diodos de carburo de silicio (SiC) de 1700 V.
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Familia de productos de IGBT
La familia de IGBTS, que utiliza tecnología OnSemi de IGBT de parada de campo novedoso de 4.a generación, brinda un rendimiento óptimo con bajas pérdidas de conducción y conmutación para operaciones de alta eficiencia en diversas aplicaciones.
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Familia de productos de módulos
Los módulos de SiC contienen transistores MOSFET de SiC y diodos de SiC. Los módulos de impulso se utilizan en las etapas de CC-CC de los inversores solares. Estos módulos utilizan transistores MOSFET de SiC y diodos de SiC con potencias de voltaje de 1200 V.
Los módulos híbridos de carburo de Si/SiC contienen IGBT, diodos de silicio y diodos de carburo de silicio. Se utilizan en etapas de CC-CA de inversores solares, sistemas de almacenamiento de energía y fuentes de alimentación ininterrumpida.
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Familia de productos MOSFET
La cartera de transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) de OnSemi se diseñó para ser veloz y resistente. Los transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) tienen una resistencia de campo de ruptura dieléctrica 10 veces mayor, una velocidad de saturación de electrones 2 veces mayor, una banda prohibida de energía 3 veces mayor y una conductividad térmica 3 veces mayor.
Transistores MOSFET de SiC de 650 V
Cartera de OnSemi de transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 650 V.
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Transistores MOSFET de SiC de 900 V
Cartera de OnSemi de transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 900 V.
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Transistores MOSFET de SiC de 1200 V
Cartera de OnSemi de transistores MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V.
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Familia de productos de controladores
La cartera de controladores de compuerta de OnSemi incluye controlador de compuerta de GaN, IGBT, FET, MOSFET, MOSFET de puente en H y controladores con inversión y sin inversión de MOSFET de SiC ideales para aplicaciones de conmutación. Los controladores de compuerta OnSemi brindan características y beneficios que incluyen alta eficiencia y confiabilidad del sistema.
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Familia de productos de GaN
La cartera de controladores de compuerta de OnSemi brinda características de rendimiento ideales que les permite cumplir con los requisitos de aplicaciones específicas, incluyendo fuentes de alimentación automotrices, inversores de tracción HEV/EV, cargadores de EV, convertidores resonantes, convertidores de medio puente y puente completo, convertidores Flyback de abrazadera activa, poste tótem y más.
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