MOSFET de potencia para un soporte de excelencia en el rendimiento
del sistema
En energía ecológica, control industrial, fuentes de alimentación y
electrodomésticos alimentados por batería para consumo general
La gama de MOSFET de Toshiba para satisfacer la creciente demanda en mercados globales clave
Es una realidad: el mercado global de semiconductores de potencia está creciendo rápidamente. La demanda de semiconductores de potencia en aplicaciones automotrices ha sido noticia en todo el mundo, pero hay muchas otras aplicaciones en las que la demanda también está creciendo rápidamente.
Y el MOSFET de potencia es la esencia en la mayoría de estas aplicaciones. Entre estas aplicaciones se encuentra la energía ecológica, particularmente los inversores solares y las bombas de calor, el control industrial y las fuentes de alimentación. Las aplicaciones para consumo general incluyen electrodomésticos como herramientas manuales del tipo “hágalo usted mismo” y herramientas de jardinería, que suelen venir en presentación inalámbrica, alimentadas por batería o recargables para mayor comodidad. El rendimiento de estos MOSFET de potencia es crucial para el rendimiento general del sistema y con mucha frecuencia es donde se comienzan nuevos desarrollos.
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Productos destacados
Nuevo MOSFET de canal N de 100 V que admite miniaturización dentro de aplicaciones de fuentes de alimentación
Basado en el proceso U-MOS-X, el dispositivo ofrece una resistencia de encendido mejorada y un área de operación segura
Toshiba lanzó un nuevo MOSFET de potencia de canal N de 100 V basado en el proceso U-MOSX-H de última generación de Toshiba. El nuevo dispositivo es adecuado para aplicaciones complejas, como fuentes de alimentación conmutadas para centros de datos y estaciones base de comunicaciones, además de ser apto para usos industriales.
Diseñado para un funcionamiento eficiente, el nuevo TPH3R10AQM alcanza un valor de apenas 3.1 mΩ (máx.) para la resistencia de encendido de drenaje de la fuente (RDS(ON)), un aspecto fundamental. Esto representa una mejora significativa del 16 % respecto del producto de 100 V actual de Toshiba (TPH3R70APL), que utiliza el proceso de generación establecido.
Comprar ahoraHoja de datosComunicado de prensaSerie de MOSFET de potencia de canal N de superunión de 600 V con RDS(on) ultrabaja
Basado en el proceso U-MOS-X, el dispositivo ofrece una resistencia de encendido mejorada y un área de operación segura
Toshiba presentó una nueva serie de MOSFET de potencia de canal N. El primer producto en la serie DTMOSVI de 600 V es el TK055U60Z1, que se basa en el proceso de última generación de Toshiba con una estructura de superunión.
El nuevo MOSFET incluye una RDS(on) de apenas 55 mΩ, una mejora del 13 % respecto de dispositivos similares en la serie DTMOSIV-H establecida de la empresa. Además, la RDS(on) x Qgd, que es la figura de mérito del rendimiento del MOSFET, se mejoró alrededor del 52 %. Las aplicaciones objetivo incluyen fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia en centros de datos, acondicionadores de potencia para generadores fotovoltaicos y sistemas de alimentación ininterrumpida.
Comprar ahoraHoja de datosVer serie de productos Comunicado de prensaLos nuevos MOSFET de potencia de canal N aprovechan sus capacidades avanzadas de disipación de calor para admitir corrientes automotrices más altas
Los dispositivos de 40 V ofrecen capacidades de corrientes elevadas y cifras de resistencia de encendido bajas en encapsulados L-TOGLTM térmicamente mejorados
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lanzó dos nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V de grado automotriz que tendrán un impacto real en los diseños de los vehículos de nueva generación. Los modelos XPQR3004PB y XPQ1R004PB utilizan el innovador formato de encapsulado de cables tipo alas de gaviota de diseño de transistores grandes, denominado L-TOGLTM.
Incluso antes de pasar a la producción masiva, el modelo XPQR3004PB alcanzó el éxito al obtener el máximo galardón en la categoría Semiconductor/controlador de potencia de 2022 en la reciente premiación de World Electronics Achievement Awards (WEAA), organizada por AspenCore.
Gracias a sus encapsulados L-TOGL y a las características de disipación de calor mejoradas resultantes, los MOSFET de Toshiba de reciente lanzamiento al mercado están altamente optimizados para admitir corrientes altas.
Comprar ahoraHoja de datosVer serie de productos Comunicado de prensaNuevo MOSFET U-MOS X-H de alto rendimiento de 150 V
La recuperación inversa mejorada reduce en gran medida las pérdidas de rectificación síncronas
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lanzó un nuevo MOSFET de canal N de 150 V basado en su proceso U-MOS-X-H de última generación. El nuevo dispositivo (TPH9R00CQ5) está diseñado específicamente para su uso en fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, como las utilizadas en estaciones base de comunicaciones y en otras aplicaciones industriales. Con un valor nominal VDSS máximo de 150 V y un manejo de corriente (ID) de 64 A, el nuevo dispositivo posee una resistencia de encendido de drenaje de fuente (RDS(ON) muy baja
En soluciones de alimentación de alto rendimiento que utilizan rectificación síncrona, el rendimiento de recuperación inversa es muy importante. Debido a la inclusión de un diodo de alta velocidad, el nuevo TPH9R00CQ5 reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) alrededor del 74 % (hasta 34 nC típ.) cuando se lo compara con un dispositivo existente como el TPH9R00CQH. Además, el tiempo de recuperación inversa (trr) de apenas 40 ns es una mejora de más del 40 % respecto de dispositivos anteriores.
Comprar ahoraHoja de datosComunicado de prensaToshiba amplía más su gama de MOSFET de superunión con otros cuatro dispositivos adicionales de 650 V
Un rendimiento mejorado con menos pérdidas aumentará la eficiencia de la fuente de alimentación
Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) agregó otros cuatro dispositivos MOSFET de potencia de canal N de superunión de 650 V para ampliar su serie DTMOSVI. Los nuevos dispositivos se basan en el éxito de mercado de los dispositivos actuales y se utilizarán principalmente en aplicaciones como fuentes de alimentación industriales y de iluminación, además de otras aplicaciones en las que la máxima eficiencia con un factor de forma pequeño es un requisito.
Los nuevos MOSFET TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z y TK190E65Z logran una reducción del 40 % en la figura de mérito (FoM) de la resistencia de encendido de drenaje de fuente (RDSON) x de la carga de drenaje de la compuerta (Qgd) respecto de la generación de DTMOS anterior. Esto se traducirá en una importante reducción en las pérdidas de conmutación respecto de dispositivos anteriores. En consecuencia, los diseños que incorporan los nuevos dispositivos serán más eficientes. La mejora de rendimiento se aplicará a los nuevos diseños y también a las actualizaciones de diseños existentes.
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